RJP020N06T100-VB دیتاشیت

RJP020N06T100-VB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RJP020N06T100-VB
حجم فایل 75.602 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت RJP020N06T100-VB

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec RJP020N06T100-VB
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 6.3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 810pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 7.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 100pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 76mΩ@4.5V,6.3A
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه